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WM2A016120K

WM2A016120K

第二代（G2）SiC MOSFET 
1200V

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第二代（G2）SiC MOSFET 
1200V

Part No. Package VDSS（V） RDS(on)(mΩ)

Drain

Current(A)

TC=25℃		VGS(th)（V）
(Typ.)		Gate ChargeTotal
Qg（nc）

Total Power

Dissipation

PTOT(W)

Junction

Temperature

TJ(MAX)(℃ )
WM2A016120KTO-247-31200 16 112 2.6 242 535 175